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ROHM bietet MOSFET mit großem SOA in kompaktem 5×6-mm-Gehäuse für KI-Server

25. November 2025

RS7P200BM

ROHM hat mit dem RS7P200BM einen 100-V-Leistungs-MOSFET im 5060-Gehäuse (5,0 mm x 6,0 mm) entwickelt, der sich durch einen großen sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA) auszeichnet. Das Produkt eignet sich ideal für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern mit 48-V-Stromversorgungen sowie für industrielle Stromversorgungen, die einen Batterieschutz benötigen.

Die rasante Entwicklung und zunehmende Verbreitung von KI-Technologien haben die Nachfrage nach stabilem Betrieb und verbesserter Energieeffizienz bei Servern erhöht, die mit generativer KI und leistungsstarken GPUs ausgestattet sind. Insbesondere in Hot-Swap-Schaltungen sind Leistungs-MOSFETs mit einem großen SOA unerlässlich, um Einschaltströme und Überlastbedingungen zu bewältigen und eine stabile Funktion zu gewährleisten. Vor dem Hintergrund der Energieeinsparung erfolgt in Rechenzentren und bei KI-Servern der Umstieg auf 48-V-Stromversorgungen, die eine deutlich bessere Energieumwandlungseffizienz bieten. Dies erfordert die Entwicklung von Hochspannungs-Stromversorgungsschaltungen mit hohem Wirkungsgrad, die diesen Anforderungen gerecht werden.

Um der Marktnachfrage zu entsprechen, hat ROHM sein Angebot an 100-V-Leistungs-MOSFETs erweitert. Diese eignen sich ideal für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern. Der neue RS7P200BM verfügt über ein kompaktes DFN5060-8S-Gehäuse (Größe 5060). Damit ermöglicht er eine noch höhere Bestückungsdichte als der im Mai 2025 von ROHM auf den Markt gebrachte KI-Server-Leistungs-MOSFET "RY7P250BM" im DFN8080-8S-Gehäuse (Größe 8,0 mm x 8,0 mm).

Der RY7P250BM erreicht einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 4,0 mΩ (Bedingungen: VGS = 10 V, ID = 50 A, Ta = 25 °C). Gleichzeitig gewährleistet er einen weiten SOA von 7,5 A bei einer Impulsbreite von 10 ms und 25 A bei 1 ms unter Betriebsbedingungen von VDS = 48 V. Dieses Gleichgewicht zwischen niedrigem Einschaltwiderstand und großem SOA, das normalerweise einen Kompromiss darstellt, reduziert die Wärmeentwicklung während des Betriebs. Dadurch werden die Effizienz der Serverstromversorgung verbessert, die Kühllast verringert und die Stromkosten gesenkt.

Die Massenproduktion des neuen Produkts begann im September 2025. Der RS7P200BM kann auch online über Händler wie DigiKey und Mouser erworben werden.

ROHM wird sein Produktangebot für 48-V-Stromversorgungen, die zunehmend in Anwendungen wie KI-Servern zum Einsatz kommen, weiter ausbauen. Durch die Bereitstellung hocheffizienter und zuverlässiger Lösungen trägt das Unternehmen dazu bei, sowohl den Leistungsverlust und die Kühllast in Rechenzentren zu reduzieren als auch die hohe Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von Serversystemen zu verbessern.

Online Distributors

Anwendungsbeispiele

•48-V-KI-Serversysteme und Hot-Swap-Stromversorgungsschaltungen in Rechenzentren
•48-V-Stromversorgungssysteme für industrielles Equipment (Gabelstapler, Elektrowerkzeuge, Roboter, Lüftermotoren etc.)
•Batteriebetriebene industrielle Geräte wie fahrerlose Transportsysteme
•USV- und Notstromsysteme (Batterie-Backup-Einheiten)

Die Marke EcoMOS™

EcoMOS™ ist ROHMs Marke für Silizium-Leistungs-MOSFETs, die für energieeffiziente Anwendungen im Bereich der Leistungselektronik entwickelt wurden. EcoMOS™ wird häufig in Anwendungen wie Haushaltsgeräten, Industrieanlagen und Automobilsystemen eingesetzt. Die Marke bietet eine vielfältige Produktpalette, die eine Produktauswahl auf der Grundlage von Schlüsselparametern wie Rauschverhalten und Schalteigenschaften ermöglicht, um spezifische Anforderungen zu erfüllen.

EcoMOS™
 

・EcoMOS™ ist eine Marke oder eingetragene Marke von ROHM Co., Ltd.