ROHM hat mit der RESDxVx series neue ESD-Schutzdioden entwickelt, die sowohl einen branchenweit führenden niedrigen dynamischen Widerstand (Rdyn) als auch eine extrem niedrige Kapazität aufweisen. Dadurch eignen sie sich für eine Vielzahl von Anwendungen in der Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation.

In den letzten Jahren hat die rasante Verbreitung der Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung in Verbindung mit der Miniaturisierung von Hochleistungselektronik den Industrie- und Automobilmarkt grundlegend verändert. Infolgedessen werden die ESD-Anforderungen auf Systemebene für Leiterplatten und Module von Jahr zu Jahr deutlich strenger. Gleichzeitig haben Fortschritte bei der Funktionalität und kleinere Formfaktoren die Toleranz von ICs gegenüber elektrischer Überlastung (EOS) und ESD verringert. Dies hat zu einem sprunghaften Anstieg der Nachfrage nach externen ESD-Schutzvorrichtungen mit geringer Kapazität zur Wahrung der Hochgeschwindigkeits-Signalintegrität und niedrigem dynamischen Widerstand geführt, um empfindliche ICs zuverlässig zu schützen.

Bei Kommunikationssystemen der nächsten Generation mit Datenraten von über 10 Gbit/s können selbst geringste parasitäre Kapazitäten die Signalverläufe erheblich verzerren. Die Reduzierung der parasitären Kapazität geht jedoch zwangsläufig mit Kompromissen beim dynamischen Widerstand einher. Dadurch wird es schwierig, eine hohe Kommunikationsqualität bei gleichzeitig hervorragendem Schutz der integrierten Schaltkreise zu erreichen.

Um dieser Herausforderung zu begegnen, hat ROHM die RESDxVx-Serie entwickelt. Sie wurde konzipiert, um die Hochgeschwindigkeitskommunikation durch eine Verringerung der Kapazität und des dynamischen Widerstands zu unterstützen. Bei Schnittstellen mit mehr als 10 Gbit/s ist es von größter Bedeutung, die Signalverschlechterung zu minimieren und gleichzeitig einen robusten IC-Schutz zu gewährleisten. Die neuen Dioden erreichen eine extrem niedrige Anschlusskapazität von nur 0,24 pF (bidirektional) und 0,48 pF (unidirektional). Darüber hinaus überwindet die Serie erfolgreich den traditionellen Kompromiss zwischen Kapazität und Widerstand, indem sie den dynamischen Widerstand auf nur 0,28 Ω reduziert. Dies führt zu einer um etwa 40 % niedrigeren Klemmspannung als bei herkömmlichen Produkten und bietet somit einen hervorragenden IC-Schutz.

Diese Eigenschaften verbessern die Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikationsgeräten erheblich, von industrieller Infrastruktur wie KI-Servern und 5G/6G-Basisstationen bis hin zu Unterhaltungselektronik wie Notebooks und Spielekonsolen. Darüber hinaus sind die Varianten RESDxVxBASAFH und RESDxVxUASAFH mit DFN1006 2W-Gehäuse nach AEC Q101 qualifiziert. Somit eignen sie sich ideal für anspruchsvolle Automobilanwendungen, darunter Kameras für Fahrerassistenzsysteme (ADAS) und autonomes Fahren (AD) sowie elektronische Steuergeräte (ECUs), die SerDes-Kommunikation nutzen.

ROHM wird sein Angebot an ESD-Schutz- und TVS-Dioden mit niedriger Kapazität weiter ausbauen. Gleichzeitig wird das Unternehmen seine Elektroniktechnologien in den Bereichen KI-Server, Kommunikationsinfrastruktur und autonome Fahrsysteme weiterentwickeln. All dies geschieht mit dem Ziel, eine sicherere, geschützte und komfortablere digitale Gesellschaft zu schaffen.