ROHM bietet mit dem RY7P250BM einen 100-V-Leistungs-MOSFET, der für Hot-Swap-Schaltungen in 48-V-Stromversorgungssystemen optimiert ist. Diese Systeme werden in KI-Servern und industriellen Stromversorgungen eingesetzt, in denen ein Batterieschutz erforderlich ist.

Aufgrund der rasanten Fortschritte in der KI-Technologie stehen Rechenzentren vor hohen Anforderungen an die Datenverarbeitung. Zudem steigt der Stromverbrauch von Servern jährlich weiter an. Insbesondere der zunehmende Einsatz generativer KI und Hochleistungs-GPUs hat eine verbesserte Energieeffizienz bei gleichzeitiger Unterstützung höherer Stromstärken notwendig gemacht. Um diesen Herausforderungen zu begegnen, geht die Industrie von 12-Volt-Systemen zu effizienteren 48-Volt-Stromversorgungsarchitekturen über. In Hot-Swap-Schaltungen, die für den sicheren Austausch von Modulen bei eingeschalteten Servern zum Einsatz kommen, werden darüber hinaus MOSFETs benötigt, die sowohl einen großen sicheren Betriebsbereich (Safe Operating Area, SOA) als auch einen niedrigen Einschaltwiderstand zum Schutz vor Einschaltstrom und Überlast bieten.

Der RY7P250BM vereint diese wichtigen Eigenschaften in einem kompakten 8080-Gehäuse. Er trägt dazu bei, die Verlustleistung und den Kühlbedarf in Rechenzentren zu reduzieren und verbessert gleichzeitig die Zuverlässigkeit und Energieeffizienz des Servers insgesamt. Da die Nachfrage nach MOSFETs der Größe 8080 steigt, ermöglicht dieses neue Produkt einen sofortigen Ersatz für bestehende Designs. Der RY7P250BM erreicht eine breite SOA (V_DS=48V, Pw=1ms/10ms), die ideal für den Hot-Swap-Betrieb ist. Verlustleistung und Wärmeentwicklung werden durch den industrieweit niedrigsten Einschaltwiderstand von 1,86 mΩ (V_GS=10V, I_D=50A, Tj=25°C) minimiert. Dieser Wert liegt etwa 18 % unter den typischen 2,28 mΩ bestehender 100-V-MOSFETs mit großer SOA in derselben Größe.

Eine breite SOA-Toleranz ist bei Hot-Swap-Schaltungen von entscheidender Bedeutung. Dies gilt insbesondere für KI-Server, bei denen hohe Einschaltströme auftreten. Der RY7P250BM erfüllt diese Anforderung und erreicht 16 A bei 10 ms bzw. 50 A bei 1 ms. Dadurch ist er in der Lage, Hochlastbedingungen zu unterstützen, mit denen herkömmliche MOSFETs nur schwer zurechtkommen.

Das neue Produkt von ROHM wurde von einem der weltweit führenden Anbieter von Cloud-Plattformen als empfohlene Komponente zertifiziert. Es wird erwartet, dass es sich in den KI-Servern der nächsten Generation etablieren wird. Insbesondere bei Serveranwendungen, bei denen Zuverlässigkeit und Energieeffizienz entscheidend sind, wurde die Kombination aus breiter SOA und niedrigem R_DS(on) für die Cloud-Infrastruktur hoch bewertet.

ROHM wird auch zukünftig sein Angebot an 48-V-kompatiblen Stromversorgungslösungen für Server und Industriegeräte weiter ausbauen. Mit hocheffizienten und zuverlässigen Produkten trägt das Unternehmen zur Entwicklung einer nachhaltigen ICT-Infrastruktur und zu größeren Energieeinsparungen bei.