ROHM hat mit dem TSC3PAK ein neues Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) für SiC-MOSFETs entwickelt. Mithilfe einer Wärmeableitungsstruktur, bei der die Wärmeableitungsfläche an der Oberseite des Gehäuses angeordnet ist, ermöglicht das neue Produkt eine automatisierte Bestückung und erreicht dabei eine vergleichbare Wärmeableitungsleistung wie herkömmliche Durchsteckgehäuse (TO-247-4L). Stromwandlerschaltungen für Onboard-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren in xEVs (Elektrofahrzeugen) werden dadurch effizienter und zuverlässiger.

Bei xEVs erstreckt sich der Einsatz von SiC-Bauelementen mittlerweile über die Hauptwechselrichter hinaus und umfasst auch Stromumwandlungsschaltungen wie On-Board-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren, wodurch die Ladegeschwindigkeit verbessert und die Reichweite erhöht wird. Zudem finden SiC-Bauelemente immer häufiger Anwendung in Industrieanlagen, darunter Hochleistungs-Serverstromversorgungen und PV-Wechselrichter, bei denen ein hocheffizienter Betrieb erforderlich ist.

Herkömmliche SiC-Bauelemente basieren in der Regel auf Durchsteckgehäusen, die im Hochleistungsbetrieb eine hervorragende Wärmeableitung gewährleisten. Durchsteckbauelemente erfordern jedoch manuelle Montageprozesse, und ihr Formfaktor erschwert die Realisierung eines flacheren Gehäuseprofils. Vor diesem Hintergrund finden oberflächenmontierbare SiC-Bauelemente, die mit automatisierten Bestückungsprozessen kompatibel sind, zunehmend Verbreitung. Um diese Anforderungen zu erfüllen, bietet das neue TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit der Durchstecktechnologie wie TO-247 vergleichbar ist, jedoch in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse.

Das neue Gehäuse verfügt über eine von ROHM entwickelte Rillenstruktur, die eine in dieser Klasse führende* Kriechstrecke von 6,66 mm gewährleistet. Dadurch ist es in der Lage, eine Wechselstrom-Spitzenspannung von 1200 V in einer Umgebung der Verschmutzungsklasse 2 zu bewältigen. Gleichzeitig wird die Kompatibilität mit marktüblichen Produkten gewährleistet. Das TSC3PAK ermöglicht eine sichere Isolationsauslegung in Hochspannungsanwendungen und trägt so zu geringeren Montagekosten und einer höheren Zuverlässigkeit bei.

Produkte, die das neue Gehäuse verwenden, enthalten SiC-MOSFETs der vierten Generation von ROHM. Diese zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelle Schalteigenschaften aus. Auf diese Weise werden die Schaltverluste bei der Stromumwandlung deutlich reduziert, was zu einer höheren Effizienz für die Anwender und einem geringeren Stromverbrauch führt.

Die Serienproduktion begann im Juni 2026. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter oder nutzen Sie das Kontaktformular auf der Website von ROHM. Auf der offiziellen Website von ROHM stehen Simulationsmodelle für alle neuen Produkte zur Verfügung, die eine schnelle Bewertung des Schaltungsdesigns ermöglichen. ROHM wird sein Angebot an SiC-MOSFETs weiter ausbauen und so zu höherer Leistung, kompakteren Abmessungen und größerer Zuverlässigkeit bei elektronischen Geräten beitragen.