RBLQ20BGE10 (In Entwicklung)
100 V, 20 A, TO-252 Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur

Der RBLQ20BGE10 ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RBLQ20BGE10TL
Status | In Entwicklung
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Configuration

Single

Package Code

TO-252 (DPAK)

Package Size [mm]

6.6x10 (t=2.4)

Package(JEITA)

SC-63

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

3

VRM[V]

100

Reverse Voltage VR[V]

100

Average Rectified Forward Current IO[A]

20.0

IFSM[A]

150.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.86

IF @ Forward Voltage [A]

20.0

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.08

VR @ Reverse Current[V]

100

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • High reliability
  • Power mold type
  • Low VF and low IR
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