RBLQ20BGE10 (In Entwicklung)
100 V, 20 A, TO-252 Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur
RBLQ20BGE10
RBLQ20BGE10 (In Entwicklung)
100 V, 20 A, TO-252 Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur
Der RBLQ20BGE10 ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.
Data Sheet
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Produktdetails
Teilenummer | RBLQ20BGE10TL
Status |
In Entwicklung
Gehäuse |
TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Configuration
Single
Package Code
TO-252 (DPAK)
Package Size [mm]
6.6x10 (t=2.4)
Package(JEITA)
SC-63
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
3
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
20.0
IFSM[A]
150.0
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.86
IF @ Forward Voltage [A]
20.0
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.08
VR @ Reverse Current[V]
100
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
- High reliability
- Power mold type
- Low VF and low IR
