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- RBLQ20BGE10 LTspice Model
- RBLQ20BGE10 SPICE Model
RBLQ20BGE10
100 V, 20 A, TO-252 Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur
RBLQ20BGE10
RBLQ20BGE10
100 V, 20 A, TO-252 Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur
Der RBLQ20BGE10 ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Configuration
Single
Package Code
TO-252 (DPAK)
Package(JEITA)
SC-63
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
3
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
20
IFSM[A]
150
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.86
IF @ Forward Voltage [A]
20
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.08
VR @ Reverse Current[V]
100
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
6.6x10 (t=2.4)
Eigenschaften:
- High reliability
- Power mold type
- Low VF and low IR
