100 V, 20 A, TO-252 Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur - RBLQ20BGE10 (In der Entwicklung)
Der RBLQ20BGE10 ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Spezifikationen:
Grade
Standard
Configuration
Single
Package Code
TO-252 (DPAK)
Package(JEITA)
SC-63
Package Size[mm]
6.6x10.0 (t=2.2)
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
3
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
20.0
IFSM[A]
150.0
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.86
IF @ Forward Voltage [A]
20.0
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.08
VR @ Reverse Current[V]
100
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Eigenschaften:
- High reliability
- Power mold type
- Low VF and low IR