RBLQ20NB10C
(In der Entwicklung)

RBLQ20NB10C (In der Entwicklung)
Trench-MOS-Struktur, 100V, 20A, TO-263AB, Hocheffiziente SBD

Die RBLQ20NB10C ist eine hocheffiziente Schottky-Barrierediode, die den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert, während ihre niedrige VF einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen erreicht. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Anwendungen mit Verpolungsschutz. Doppeltyp mit gemeinsamer Kathode.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RBLQ20NB10CTL
Gehäuse | LPDL
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Configuration

C-Common

Package Code

TO-263AB

Package Size[mm]

15.1x10.1(t=4.7)

Mounting Style

Leaded type

Number of terminal

3

VRM[V]

100

Reverse Voltage VR[V]

100

Average Rectified Forward Current IO[A]

20.0

IFSM[A]

150.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.71

IF @ Forward Voltage [A]

10.0

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.07

VR @ Reverse Current[V]

100

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • High reliability
  • Power mold type
  • Cathode common dual type
  • Low VF and Low IR
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Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • Method for Monitoring Switching Waveform
  • Importance of Probe Calibration When Measuring Power: Deskew
  • Impedance Characteristics of Bypass Capacitor

Thermal Design

  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • Two-Resistor Model for Thermal Simulation
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
  • What is a Thermal Model? (Diode)
  • Measurement Method and Usage of Thermal Resistance RthJC
  • Precautions When Measuring the Rear of the Package with a Thermocouple

Design Tools

Characteristics Data

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Packaging & Qualität

Package Information

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Export Information

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