RBLQ20NB10C
Trench-MOS-Struktur, 100V, 20A, TO-263AB, Hocheffiziente SBD

Die RBLQ20NB10C ist eine hocheffiziente Schottky-Barrierediode, die den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert, während ihre niedrige VF einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen erreicht. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Anwendungen mit Verpolungsschutz. Doppeltyp mit gemeinsamer Kathode.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RBLQ20NB10CTL
Status | Empfohlen
Gehäuse | LPDL
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Configuration

C-Common

Package Code

TO-263AB

Package Size [mm]

10.1x15.1 (t=4.7)

Mounting Style

Leaded type

Number of terminal

3

VRM[V]

100

Reverse Voltage VR[V]

100

Average Rectified Forward Current IO[A]

20.0

IFSM[A]

150.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.71

IF @ Forward Voltage [A]

10.0

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.07

VR @ Reverse Current[V]

100

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • High reliability
  • Power mold type
  • Cathode common dual type
  • Low VF and Low IR
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