100 V, 20 A, TO-263AB Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur für die Automobilindustrie - RBLQ20NB10CFH (In der Entwicklung)

Der RBLQ20NB10CFH ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.

Teilenummer | RBLQ20NB10CFHTL
Gehäuse | LPDL
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Automotive

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Configuration

C-Common

Package Code

TO-263AB

Package Size[mm]

15.1x10.1(t=4.7)

Mounting Style

Leaded type

Number of terminal

3

VRM[V]

100

Reverse Voltage VR[V]

100

Average Rectified Forward Current IO[A]

20.0

IFSM[A]

150.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.71

IF @ Forward Voltage [A]

10.0

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.07

VR @ Reverse Current[V]

100

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • High reliability
  • Power mold type
  • Cathode common dual type
  • Low VF and low IR