100 V, 20 A, TO-263AB Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur - RBLQ20NB10S (In der Entwicklung)

Der RBLQ20NB10S ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | RBLQ20NB10STL
Gehäuse | LPDL
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Configuration

Single

Package Code

TO-263AB

Package Size[mm]

15.1x10.1(t=4.7)

Mounting Style

Leaded type

Number of terminal

3

VRM[V]

100

Reverse Voltage VR[V]

100

Average Rectified Forward Current IO[A]

20.0

IFSM[A]

200.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.86

IF @ Forward Voltage [A]

20.0

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.08

VR @ Reverse Current[V]

100

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • High reliability
  • Power mold type
  • Low VF and low IR