RBLQ2MM10 (In Entwicklung)
100 V, 2 A, SOD-123FL Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur

Der RBLQ2MM10 ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RBLQ2MM10TR
Status | In Entwicklung
Gehäuse | PMDU
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Configuration

Single

Package Code

SOD-123FL

Package Size [mm]

1.6x3.5 (t=0.9)

Package(JEITA)

SC-109B

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

2

VRM[V]

100

Reverse Voltage VR[V]

100

Average Rectified Forward Current IO[A]

2.0

IFSM[A]

30.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.77

IF @ Forward Voltage [A]

2.0

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.01

VR @ Reverse Current[V]

100

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • High reliability
  • Small power mold type
  • Low VF and low IR