RBLQ2MM10 (In Entwicklung)
100 V, 2 A, SOD-123FL Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur
RBLQ2MM10
RBLQ2MM10 (In Entwicklung)
100 V, 2 A, SOD-123FL Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur
Der RBLQ2MM10 ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.
Data Sheet
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Teilenummer | RBLQ2MM10TR
Status |
In Entwicklung
Gehäuse |
PMDU
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Standard
Configuration
Single
Package Code
SOD-123FL
Package Size [mm]
1.6x3.5 (t=0.9)
Package(JEITA)
SC-109B
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
2.0
IFSM[A]
30.0
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.77
IF @ Forward Voltage [A]
2.0
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current[V]
100
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- High reliability
- Small power mold type
- Low VF and low IR
