RBLQ2MM10 (In der Entwicklung)
100 V, 2 A, SOD-123FL Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur

Der RBLQ2MM10 ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RBLQ2MM10TR
Gehäuse | PMDU
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Configuration

Single

Package Code

SOD-123FL

Package(JEITA)

SC-109B

Package Size[mm]

3.5x1.6 (t=0.8)

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

2

VRM[V]

100

Reverse Voltage VR[V]

100

Average Rectified Forward Current IO[A]

2.0

IFSM[A]

30.0

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.77

IF @ Forward Voltage [A]

2.0

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.01

VR @ Reverse Current[V]

100

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • High reliability
  • Small power mold type
  • Low VF and low IR
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Technische Artikel

Schematic Design & Verification

  • Method for Monitoring Switching Waveform
  • Importance of Probe Calibration When Measuring Power: Deskew
  • Impedance Characteristics of Bypass Capacitor

Thermal Design

  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • Two-Resistor Model for Thermal Simulation
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
  • What is a Thermal Model? (Diode)
  • Measurement Method and Usage of Thermal Resistance RthJC
  • Precautions When Measuring the Rear of the Package with a Thermocouple

Design Tools

Characteristics Data

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Packaging & Qualität

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