RBLQ2VWM10TF (In Entwicklung)
100 V, 2 A, PMDE Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur für die Automobilindustrie
RBLQ2VWM10TF
RBLQ2VWM10TF (In Entwicklung)
100 V, 2 A, PMDE Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur für die Automobilindustrie
Der RBLQ2VWM10TF ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.
Produktdetails
Teilenummer | RBLQ2VWM10TFTR
Status |
In Entwicklung
Gehäuse |
PMDE
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS |
Ja
Spezifikationen:
Grade
Automotive
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Configuration
Single
Package Size [mm]
1.3x2.5 (t=1)
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
2.0
IFSM[A]
30.0
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.77
IF @ Forward Voltage [A]
2.0
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current[V]
100
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Eigenschaften:
- High reliability
- Small power mold type
- Low VF and low IR
