RBLQ3LAM10TF
100 V, 3 A, SOD-128 Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur für die Automobilindustrie

Der RBLQ3LAM10TF ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.

Produktdetails

 
Teilenummer | RBLQ3LAM10TFTR
Status | Empfohlen
Gehäuse | PMDTM
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Configuration

Single

Package Code

SOD-128

Mounting Style

Surface mount

Number of terminal

2

VRM[V]

100

Reverse Voltage VR[V]

100

Average Rectified Forward Current IO[A]

3

IFSM[A]

80

Forward Voltage VF(Max.)[V]

0.64

IF @ Forward Voltage [A]

3

Reverse Current IR(Max.)[mA]

0.03

VR @ Reverse Current[V]

100

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

2.5x4.7 (t=1.05)

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

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Eigenschaften:

  • High reliability
  • Small power mold type
  • Low VF and low IR