RBLQ3LAM10TF
100 V, 3 A, SOD-128 Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur für die Automobilindustrie
RBLQ3LAM10TF
RBLQ3LAM10TF
100 V, 3 A, SOD-128 Hocheffiziente SBD mit Trench-MOS-Struktur für die Automobilindustrie
Der RBLQ3LAM10TF ist eine hocheffiziente Schottky-Diode, deren Design den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR verbessert. Trotz seines niedrigen VF erreicht er einen stabilen Betrieb bei hohen Temperaturen. Ideal für Schaltnetzteile, Freilaufdioden und Verpolungsschutzanwendungen.
Produktdetails
Spezifikationen:
Configuration
Single
Package Code
SOD-128
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
3
IFSM[A]
80
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.64
IF @ Forward Voltage [A]
3
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.03
VR @ Reverse Current[V]
100
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
2.5x4.7 (t=1.05)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Eigenschaften:
- High reliability
- Small power mold type
- Low VF and low IR
