Ein solcher Fehler liegt vor, wenn eine Speicherzelle während des normalen Betriebs unerwartet ausfällt und zu einer Beschädigung des Speichers führt. Bei der Anzahl möglicher erneuter Schreibvorgänge auf einer EEPROM-Speicherzelle gibt es Einschränkungen. ROHM gewährleistet die höchste Anzahl erneuter Schreibvorgänge: 1 Million Mal. Hersteller verbürgen sich in der Regel nicht dafür, dass nach einer bestimmten Anzahl erneuter Schreibvorgänge kein unerwarteter Ausfall der Speicherzelle auftritt – sie sagen lediglich zu, dass alle Bits zum Zeitpunkt des Versands ordnungsgemäß funktionieren. ROHM hat eine Doppelzellen-Konstruktion entwickelt, um die Häufigkeit unerwarteter Ausfälle zu verringern und für eine höhere Datenzuverlässigkeit zu sorgen.
Die integrierte Niederspannungsschreibfehler-Schutzschaltung (LVCC-Schaltkreis) wird aktiviert, sodass der Schreibvorgang unterbunden wird. Einschaltvorsichtsmaßnahme: Betätigen Sie die Power-On-Reset-Schaltung (P.O.R.), um einen normalen Betrieb zu gewährleisten.
Das heißt, jedes Byte kann Daten für 1 Million erneuter Schreibvorgänge speichern. Der Wert steht nicht für die Anzahl erneuter Schreibvorgänge in den integrierten Schaltkreis. Hinweis 1: Die Anzahl möglicher, erneuter Schreibvorgänge hängt von den Betriebstemperaturbedingungen ab. Weitere Informationen zur Datenzuverlässigkeit erhalten Sie bei der Geschäftsabteilung. Hinweis 2: Zwischen dem Datenspeicherungszeitraum und der Anzahl erneuter Schreibvorgänge besteht kein Zusammenhang.
In einem EEPROM wird die Aufladung am Floating-Gate der Speicherzelle nach 1.000.000 erneuten Schreibvorgängen problematisch, sodass Schreibvorgänge nicht möglich sind. Zellen, die keine Ladung halten können, werden auf „L“ gesetzt.