R6030ENZ
Nch 600V 30A Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
R6030ENZ
R6030ENZ
Nch 600V 30A Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des Rauschens, wie z.B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-3PF
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
600
Drain Current ID[A]
30
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.115
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.115
Total gate charge Qg[nC]
85
Power Dissipation (PD)[W]
120
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ.)[ns]
660
Mounting Style
Leaded type
Bare Die Part Number
Available: K7407
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
15.5x26.5 (t=5.7)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
