R6511ENJ
650V 11A TO-263 Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
R6511ENJ
R6511ENJ
650V 11A TO-263 Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
Der R6511ENJ ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
650
Drain Current ID[A]
11
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.36
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.36
Total gate charge Qg[nC]
32
Power Dissipation (PD)[W]
124
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ.)[ns]
430
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K7453
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
10.1x13.1 (t=4.7)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Parallel use is easy
- Pb-free plating ; RoHS compliant
