R6530ENZ
Nch 650V 30A Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
R6530ENZ
R6530ENZ
Nch 650V 30A Leistungs-MOSFET mit niedrigem Rauschen
Die R6xxxENx-Serie sind rauscharme Super Junction MOSFETs, bei denen die einfache Handhabung im Vordergrund steht. Die Produkte dieser Serie erreichen eine hervorragende Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Reduzierung des Rauschens, wie z.B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-3PF
Applications
Power Supply
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
650
Drain Current ID[A]
30
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.125
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.125
Total gate charge Qg[nC]
90
Power Dissipation (PD)[W]
86
Drive Voltage[V]
10
Trr (Typ.)[ns]
640
Mounting Style
Leaded type
Bare Die Part Number
Available: K7457
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
15.5x26.5 (t=5.7)
Eigenschaften:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Parallel use is easy
- Pb-free plating ; RoHS compliant
