QS5U13
2,5 V Antriebs-Nch+SBD-MOSFET
QS5U13
2,5 V Antriebs-Nch+SBD-MOSFET
ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-25T
Number of terminal
5
Polarity
Nch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.11
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.076
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.071
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.11
Total gate charge Qg[nC]
2.8
Power Dissipation (PD)[W]
0.9
Drive Voltage[V]
2.5
Reverse voltage VR (Diode) [V]
20
Forward Current IF (Diode) [A]
0.5
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]
2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2.9x2.8 (t=1)
Eigenschaften:
· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
