QS5U28
2,5 V Antriebs-Pch+SBD-MOSFET
QS5U28
2,5 V Antriebs-Pch+SBD-MOSFET
ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-25T
Number of terminal
5
Polarity
Pch+Schottky
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-20
Drain Current ID[A]
-2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.175
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.097
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.09
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.175
Total gate charge Qg[nC]
4.8
Power Dissipation (PD)[W]
0.9
Drive Voltage[V]
-2.5
Reverse voltage VR (Diode) [V]
20
Forward Current IF (Diode) [A]
1
Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]
3
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2.9x2.8 (t=1)
Eigenschaften:
· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
