QS8M31
60 V Nch+Pch MOSFET
QS8M31
QS8M31
60 V Nch+Pch MOSFET
Der QS8M31 ist ein komplexer MOSFET (P+N) für Schaltanwendungen.
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
3
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.098
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.093
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.098
Total gate charge Qg[nC]
4
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3x2.8 (t=0.85)
Eigenschaften:
· Kleiner Durchlasswiderstand· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT8)
· Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
· Halogenfrei
