RQ1E075XN
4 V Antriebs-Nch-MOSFET
RQ1E075XN
4 V Antriebs-Nch-MOSFET
MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
7.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.019
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.017
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.012
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.019
Total gate charge Qg[nC]
6.8
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3x2.8 (t=0.85)
Eigenschaften:
· 4-Ｖ-Motor· N-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform
