RS1E350BN
Nch-Leistungs-MOSFET 30 V 80 A

RS1E350BN ist ein MOSFET für die Schaltfunktion mit niedrigen Durchlasswiderstand.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RS1E350BNTB1
Status | Empfohlen
Gehäuse | HSOP8 (Single)
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

HSOP8S (5x6)

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

80

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0018

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0012

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0018

Total gate charge Qg[nC]

95

Power Dissipation (PD)[W]

35

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4007

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

4.9x6 (t=1.1)

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Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High Power Package (HSOP8)
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • Halogen Free
  • 100% Rg and UIS Tested
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