Rauscharmer, quasi-resonanter DC/DC-Kontrollwandler-IC für AC/DC-Wandler - BD7682FJ-LB | ROHM Semiconductor - ROHM Co., Ltd.
Rohm Productdetail
Rauscharmer, quasi-resonanter DC/DC-Kontrollwandler-IC für AC/DC-Wandler - BD7682FJ-LB
Der BD7682FJ-LB ist ein quasi-resonant gesteuerter DC/DC-Wandler, optimiert für Produkte mit elektrischer Steckdose. Der quasi-resonante Betrieb ermöglicht Soft-Schaltung und hilft die EMI zu verringern, wobei ein externer MOSFET-Regler und ein Stromerfassungswiderstand ein flexibleres Design bieten. Weitere Merkmale sind eine Brown-Ausgangsfunktion, die Eingangsspannung zwecks Systemoptimierung überwacht und ein Burst-Modus, der den Strom während bei leichter Belastung reduziert. Mehrere Schutzfunktionen bieten mehr Zuverlässigkeit, darunter Soft-Start, Burst-Modus, Strombegrenzung pro Zyklus und Überspannungs-/Überlastschutz. Zur Optimierung des SiC MOSFET-Treibers ist ein Gate-Klemmenschaltkreis integriert.
ROHM Empfohlene Produkte
SCT2H12NZ(1700V SiC-MOSFET) und BD7682FJ-LB (AC/DC-Wandler IC) Evaluationsplatine
Anwendungshinweis (PDF: 1,9 MB), Präsentationsdokument (PDF: 1,0 MB)
Übersicht

SiC rückt dank seiner überlegenen Materialeigenschaften gegenüber Silizium als ein Verbindungshalbleiter der nächsten Generation in den Fokus des Interesses.
Bei Hilfsstromversorgungen, die in Hochspannungs- und Hochleistungsindustrieanlagen Einsatz finden, werden in der Regel Silizium-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) mit Hochspannung (>1000V) verwendet. Durch ihren Austausch durch SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren kann die Wärmeerzeugung erheblich reduziert werden, wodurch Außenteile wie Kühlkörper überflüssig werden.
ROHM hat vor kurzem seine beachtliche Produktpalette erweitert. Neu im Angebot sind 1700V SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren zusammen mit einer Evaluierungskarte, mit der Vorgänge wie Leistungsüberprüfung und Anwendungsentwicklung vereinfacht werden.
Evaluierungskarte
Als umfangreicher Hersteller von Halbleitern bietet ROHM nun ICs, die für den Einsatz in SiC-Geräten optimiert sind, einschließlich der BD7682FJ-LB DC/DC Wandler-Steuer-IC, welche für eine Leistungsmaximierung der SiC-Hochleistungs-MOSFETs bestimmt sind, wie z.B. SCT2H12NZ. Ebenso erhältlich ist nun eine Evaluierungskarte (BD7682FJ-LB-EVK-402), die beide Produkte miteinander verbindet.

Hauptmerkmale 1:Optimiert für Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen.
Verglichen mit 1500V Silizium-MOSFETs, die bei Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen verwendet werden, bieten die hochleistenden SiC-MOSFETs aus dem Hause ROHM 8x geringere On-Widerstandswerte (1.15Ω) sowie eine Stehspannung in Höhe von 1700V. Zusätzlich bietet das Paket TO-3PFM die erforderliche Kriechstrecke (d.h. die gemessene Entfernung entlang der Oberfläche des Isolators), die für Industrieanlagen vorgeschrieben ist.


Hauptmerkmale 2:Durch die Kombination mit dem geeigneten IC von ROHM erzielen Sie eine sogar noch höhere Effizienz

Durch den Einsatz der BD7682FJ-LB AC/DC-Wandler-Steuer-IC wird der Wirkungsgrad um bis zu 6% optimiert und gleichzeitig die erzeugte Wärme reduziert. Hierdurch lässt sich die Größe der wärmeableitenden Komponenten reduzieren.
Produktpalette
Teilenr. | Gehäuse | Polarität | VDSS | ID | PD (Tc=25℃) |
RDS(ON) VGS=18V |
Qg VGS=18V |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEW SCT2H12NZ |
|
Nch | 1700V | 3,7A | 35W | 1.15Ω (Typ.) |
14nC (Typ.) |
☆SCT2H12NY |
|
4A | 44W | ||||
☆SCT2750NY | 5,9A | 57W | 0.75Ω (Typ.) |
17nC (Typ.) |
☆:In Entwicklung
Ähnliche Informationen
â– Support-Seite
â– Aktuelles
â– Neue Produktbeschreibung
