Rauscharmer, quasi-resonanter DC/DC-Kontrollwandler-IC für AC/DC-Wandler - BD7682FJ-LB
Der BD7682FJ-LB ist ein quasi-resonant gesteuerter DC/DC-Wandler, optimiert für Produkte mit elektrischer Steckdose. Der quasi-resonante Betrieb ermöglicht Soft-Schaltung und hilft die EMI zu verringern, wobei ein externer MOSFET-Regler und ein Stromerfassungswiderstand ein flexibleres Design bieten. Weitere Merkmale sind eine Brown-Ausgangsfunktion, die Eingangsspannung zwecks Systemoptimierung überwacht und ein Burst-Modus, der den Strom während bei leichter Belastung reduziert. Mehrere Schutzfunktionen bieten mehr Zuverlässigkeit, darunter Soft-Start, Burst-Modus, Strombegrenzung pro Zyklus und Überspannungs-/Überlastschutz. Zur Optimierung des SiC MOSFET-Treibers ist ein Gate-Klemmenschaltkreis integriert.
ROHM Empfohlene Produkte
SCT2H12NZ(1700V SiC-MOSFET) und BD7682FJ-LB (AC/DC-Wandler IC) Evaluationsplatine
Anwendungshinweis (PDF: 1,9 MB), Präsentationsdokument (PDF: 1,0 MB)
Übersicht
SiC rückt dank seiner überlegenen Materialeigenschaften gegenüber Silizium als ein Verbindungshalbleiter der nächsten Generation in den Fokus des Interesses.
Bei Hilfsstromversorgungen, die in Hochspannungs- und Hochleistungsindustrieanlagen Einsatz finden, werden in der Regel Silizium-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) mit Hochspannung (>1000V) verwendet. Durch ihren Austausch durch SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren kann die Wärmeerzeugung erheblich reduziert werden, wodurch Außenteile wie Kühlkörper überflüssig werden.
ROHM hat vor kurzem seine beachtliche Produktpalette erweitert. Neu im Angebot sind 1700V SiC-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren zusammen mit einer Evaluierungskarte, mit der Vorgänge wie Leistungsüberprüfung und Anwendungsentwicklung vereinfacht werden.
Evaluierungskarte
Als umfangreicher Hersteller von Halbleitern bietet ROHM nun ICs, die für den Einsatz in SiC-Geräten optimiert sind, einschließlich der BD7682FJ-LB DC/DC Wandler-Steuer-IC, welche für eine Leistungsmaximierung der SiC-Hochleistungs-MOSFETs bestimmt sind, wie z.B. SCT2H12NZ. Ebenso erhältlich ist nun eine Evaluierungskarte (BD7682FJ-LB-EVK-402), die beide Produkte miteinander verbindet.
Hauptmerkmale 1：Optimiert für Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen.
Verglichen mit 1500V Silizium-MOSFETs, die bei Hilfsstromversorgungen in Industrieanlagen verwendet werden, bieten die hochleistenden SiC-MOSFETs aus dem Hause ROHM 8x geringere On-Widerstandswerte (1.15Ω) sowie eine Stehspannung in Höhe von 1700V. Zusätzlich bietet das Paket TO-3PFM die erforderliche Kriechstrecke (d.h. die gemessene Entfernung entlang der Oberfläche des Isolators), die für Industrieanlagen vorgeschrieben ist.
Hauptmerkmale 2：Durch die Kombination mit dem geeigneten IC von ROHM erzielen Sie eine sogar noch höhere Effizienz
Durch den Einsatz der BD7682FJ-LB AC/DC-Wandler-Steuer-IC wird der Wirkungsgrad um bis zu 6% optimiert und gleichzeitig die erzeugte Wärme reduziert. Hierdurch lässt sich die Größe der wärmeableitenden Komponenten reduzieren.
Produktpalette
| Teilenr. | Gehäuse | Polarität | VDSS | ID | PD (Tc=25℃) |
RDS(ON) VGS=18V |
Qg VGS=18V |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NEW SCT2H12NZ |
|
Nch | 1700V | 3,7A | 35W | 1.15Ω (Typ.) |
14nC (Typ.) |
| ☆SCT2H12NY |
|
4A | 44W | ||||
| ☆SCT2750NY | 5,9A | 57W | 0.75Ω (Typ.) |
17nC (Typ.) |
TO-3PFM☆：In Entwicklung
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