N-Kanal Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET Nacktchip - S4105

S4105 ist ein SiC (Siliziumkarbid) Trench-MOSFET. Seine Merkmale sind unter anderem Hochspannungsfestigkeit, niedriger ON-Widerstand und schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Für den Kauf von Nacktchips kontaktieren Sie bitte unsere Verkaufsbüros. Im Internet bieten wir derzeit keine Nacktchips zum Kauf an.

* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung. Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Teilenummer | S4105
Status | Aktiv
Gehäuse |
Einheitenmenge |
Minimale Gehäusemenge |
Gehäusetyp |
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]

160.0

Drain Current[A]

17.0

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive