S4604 (Neues Produkt)

1200V, 26A, Silicon Carbide MOSFET Bare Die
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S4604
(Neues Produkt)

S4604 (Neues Produkt)
1200V, 26A, Silicon Carbide MOSFET Bare Die

S4604 is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage withstand capability, low ON-state resistance, and fast switching speed.
For sale of Bare Die, please contact the specifications in our sales office. Currently, we don't sell Bare Die on the internet distributors now.

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* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
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Produktdetails

 
Teilenummer | S4604
Status | Aktiv
Gehäuse |
Einheitenmenge |
Minimale Gehäusemenge |
Gehäusetyp |
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]

62

Generation

4th Gen

Drain Current[A]

26

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
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