BSM180D12P3C007
SiC-Leistungsmodul

BSM180D12P3C007 ist ein Halbbrückenmodul bestehend aus Siliziumkarbid UMOSFET und Silikonkarbid Schottky-Diode.

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Produktdetails

 
Teilenummer | BSM180D12P3C007
Status | Empfohlen
Gehäuse | C
Einheitenmenge | 12
Minimale Gehäusemenge | 12
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

180

Total Power Dissipation[W]

880

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

Package Size [mm]

122x45.6 (t=17.5)

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