BSM300D12P2E001
SiC-Leistungsmodul

BSM300D12P2E001 ist ein Halbbrückenmodul bestehend aus Siliziumkarbid DMOSFET und Siliziumkarbid Schottky-Diode.

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Produktdetails

 
Teilenummer | BSM300D12P2E001
Status | Empfohlen
Gehäuse | E
Einheitenmenge | 4
Minimale Gehäusemenge | 4
Gehäusetyp | Corrugated Cardboard
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

300

Total Power Dissipation[W]

1875

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

Package Size [mm]

152x57.95 (t=18)

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