SiC-Schottky-Dioden

Die kapazitive Gesamtladung (Qc) von Schottky-Dioden (SBD) ist gering, wodurch die Schaltverluste reduziert und gleichzeitig ein schneller Schaltvorgang ermöglicht wird. Darüber hinaus behalten Siliziumkarbid- (SiC-) Bauelemente im Gegensatz zu Si-basierten Fast-Recovery-Dioden, bei denen der trr (reverse recovery time) mit der Temperatur ansteigt, konstante Eigenschaften bei, was zu einer besseren Leistung führt.

Wie andere SiC-Bausteine ermöglichen es SiC-SBDs den Herstellern, die Größe von Industrieanlagen und Unterhaltungselektronik zu reduzieren, wodurch sie ideal für den Einsatz in Leistungsfaktorkorrekturschaltungen und Umrichtern geeignet sind.

Und da sie Energieumwandlungssysteme zuverlässiger machen, finden sie sich standardmäßig in Batterieladegeräten, Ladeschaltungen für Elektro- und Hybridfahrzeuge und in Solarpaneelen, wo die neueste Generation von SiC-Bauelementen den Leistungsverlust um bis zu 50 Prozent reduzieren kann.

ROHM hat die SCS3-Serie von SiC-SBDs der dritten Generation auf den Markt gebracht, die eine höhere Stoßstromfähigkeit bietet und gleichzeitig die branchenweit kleinste Durchlassspannung der SBDs der zweiten Generation weiter reduziert.