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NPN-Transistor mit hoher Verstärkung (Darlington) - 2SD1980

Verschiedene Produkte werden in Produktreihen angeboten mit dem Fokus auf Aspekten wie Energieeinsparung und Zuverlässigkeit als die wesentlichen Konzepte, wobei die Gehäuse von ultrakompakten Typen bis zu Leistungstypen reichen, um die Anforderungen des Marktes zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | 2SD1980TL
Status | Active
Gehäuse | CPT3
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-252(DPAK)

JEITA Package

SC-63

Package Size[mm]

6.5x9.5(t=2.3)

Number of terminal

3

Polarity

NPN

Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

100.0

Collector current(continuous) IC1[A]

2.0

Collector Power dissipation PC[W]

1

hFE

1000 to 10000

hFE (Min.)

1000

hFE (Max.)

10000

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Hochleistungsverstärker-Transistor (Darlingtonschaltung)
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform