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1,2 V Antriebs-Nch-MOSFET (entspricht AEC-Q101) - RUQ050N02FRA

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

Teilenummer | RUQ050N02FRATR
Status | Active
Gehäuse | TSMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Automotive

Common Standard

AEC-Q101

Package Code

SOT-457T

JEITA Package

SC-95

Package Size[mm]

2.9x2.8(t=1.0max.)

Number of terminal

6

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

5.0

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

0.04

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)

0.032

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.027

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.022

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.04

Total gate charge Qg[nC]

12.0

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

1.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Niederspannungsmotor (1,5 V)
· N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform