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1,2 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET - EM6K7

Komplexe MOSFETs (N+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | EM6K7T2CR
Status | Active
Gehäuse | EMT6
Einheitenmenge | 8000
Minimale Gehäusemenge | 8000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-563

JEITA Package

SC-107C

Package Size[mm]

1.6x1.6(t=0.5)

Number of terminal

6

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V (Typ.)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)

1.2

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)

0.8

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

1.6

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Niederspannungsmotor (1,2 V)
· N-Kanal+N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform