QH8KA4
30 V Nch+Nch-Mittelleistungs-MOSFET

Der mittlere Leistungs MOSFET QH8KA4 ist geeignet zum Schalten und Batterieanwendungen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | QH8KA4TCR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TSMT8

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

9

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.017

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.013

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0125

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.017

Total gate charge Qg[nC]

12

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

3x2.8 (t=0.85)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance.
  • Small Surface Mount Package.
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant.
  • Halogen Free
  • 100% avalanche tested.
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