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1,8 V Antriebs-Nch+SBD-MOSFET - QS5U34

ROHMs MOSFETs haben durch die Mikrobearbeitungstechnologien einen geringen RDS-(Einschalt)-Widerstand und sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, wie die Hybrid-Ausführung (MOSFET + Schottky-Diode), sodass unterschiedliche Marktbedürfnisse erfüllt werden.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | QS5U34TR
Status | Active
Gehäuse | TSMT5
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-25T

Package Size[mm]

2.9x2.8(t=1.0Max.)

Number of terminal

5

Polarity

Nch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V (Typ.)

0.22

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.13

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.22

Total gate charge Qg[nC]

1.8

Power Dissipation (PD)[W]

0.9

Drive Voltage[V]

1.8

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20.0

Forward Current IF (Diode) [A]

0.5

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

2.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Mittelleistungs-MOSFET mit mehreren Schottky-Barriere-Dioden
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform