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4 V Antriebs-Nch+Nch-MOSFET - QS8K21

Komplexe MOSFETs (N+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | QS8K21TR
Status | Active
Gehäuse | TSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TSMT8

Package Size[mm]

3.0x2.8(t=0.8)

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

45

Drain Current ID[A]

4.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.053

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.048

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.038

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.053

Total gate charge Qg[nC]

5.4

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 4-V-Motor
· N-Kanal+N-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform