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10 V Antriebs-Nch-MOSFET - R6009ENJ

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | R6009ENJTL
Status | Active
Gehäuse | LPTS(D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-263(D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Package Size[mm]

10.1x13.1(t=4.5)

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

9.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.5

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.5

Total gate charge Qg[nC]

23.0

Power Dissipation (PD)[W]

40.0

Drive Voltage[V]

10.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

・ Low on-resistance.
・ Fast switching speed.
・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
・ Drive circuits can be simple.
・ Parallel use is easy.
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant