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10 V Antriebs-Nch-MOSFET - R6020ENZ

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | R6020ENZC8
Status | Active
Gehäuse | TO-3PF
Einheitenmenge | 360
Minimale Gehäusemenge | 360
Gehäusetyp | Bulk
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-3PF

Package Size[mm]

26.5x15.5(t=5.5)

Applications

Power Supply

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

600

Drain Current ID[A]

20.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.17

Total gate charge Qg[nC]

60.0

Power Dissipation (PD)[W]

120.0

Drive Voltage[V]

10.0

Mounting Style

Leaded type

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

・ Low on-resistance.
・ Fast switching speed.
・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
・ Drive circuits can be simple.
・ Parallel use is easy.
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant