RD3T050CN
Nch 200V 5A Leistungs-MOSFET

Der RD3T050CN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit, der für Schaltanwendungen geeignet ist.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RD3T050CNTL1
Status | Empfohlen
Gehäuse | TO-252
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Package Code

TO-252 (DPAK)

JEITA Package

SC-63

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

200

Drain Current ID[A]

5

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.54

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.54

Total gate charge Qg[nC]

8.3

Power Dissipation (PD)[W]

29

Drive Voltage[V]

10

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

6.6x10.0 (t=2.4)

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Eigenschaften:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Drive circuits can be simple
  • Parallel use is easy
  • Pb-free plating ; RoHS compliant
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