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Nch 40V 120A Power MOSFET - RJ1G12BGN (Neues Produkt)

RJ1G12BGN is a Power MOSFET with Low on - resistance, suitable for Switching.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | RJ1G12BGNTLL
Status | Active
Gehäuse | LPT(L)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-263AB

Package Size[mm]

10.1x15.1(t=4.7)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

40

Drain Current ID[A]

120.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.00154

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.00138

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.00154

Total gate charge Qg[nC]

82.0

Power Dissipation (PD)[W]

178.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High power small mold package(LPTL)
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
  • 100% UIS tested