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4 V Antriebs-Nch-MOSFET - RQ1E075XN

MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | RQ1E075XNTCR
Status | Active
Gehäuse | TSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TSMT8

Package Size[mm]

3.0x2.8(t=0.8)

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

7.5

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.019

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.017

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.012

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.019

Total gate charge Qg[nC]

6.8

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 4-V-Motor
· N-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform