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4,5 V Antriebs-Nch-MOSFET - RQ3E080GN

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | RQ3E080GNTB
Status | Active
Gehäuse | HSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

HSMT8(3.3x3.3)

Package Size[mm]

3.3x3.3(t=0.8)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

18.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.0175

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.0129

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0175

Total gate charge Qg[nC]

2.8

Power Dissipation (PD)[W]

14.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

・ Low on - resistance.
・ High Power Package (HSMT8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free