RQ3E110AJ
Nch 30V 24A Leistungs-MOSFET
RQ3E110AJ
RQ3E110AJ
Nch 30V 24A Leistungs-MOSFET
RQ3E110AJ ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und kleinem SMD-Gehäuse für Schaltanwendungen.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSMT8 (3.3x3.3)
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
24
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.0126
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0088
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0126
Total gate charge Qg[nC]
13.5
Power Dissipation (PD)[W]
15
Drive Voltage[V]
2.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.8)
Eigenschaften:
- Low on - resistance.
- Small Surface Mount Package (HSMT8).
- Pb-free lead plating; RoHS compliant.
