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Nch-Mittelleistungs-MOSFET 30 V 39 A - RQ3E180BN

RQ3E180BN ist ein Hochleistungsgehäuse MOSFET mit niedrigen Durchlasswiderstand für die Schaltfunktion.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | RQ3E180BNTB
Status | Active
Gehäuse | HSMT8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

HSMT8(3.3x3.3)

Package Size[mm]

3.3x3.3(t=0.8)

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

39.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.0037

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.0028

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0037

Total gate charge Qg[nC]

37.0

Power Dissipation (PD)[W]

20.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance.
  • High Power Package (HSMT8).
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
  • Halogen Free.