RQ6E030AT
Pch-Mittelleistungs-MOSFET -30 V -3 A
RQ6E030AT
RQ6E030AT
Pch-Mittelleistungs-MOSFET -30 V -3 A
RQ6E030AT ist ein kleines Anbaugehäuse MOSFET.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
SOT-457T
JEITA Package
SC-95
Applications
Switching
Number of terminal
6
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.104
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.07
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.104
Total gate charge Qg[nC]
2.7
Power Dissipation (PD)[W]
1.25
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2.9x2.8 (t=1)
Eigenschaften:
· Kleiner Durchlasswiderstand· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse (TSMT6)
· Bleifreier Leitungsüberzug, RoHS-konform
