RS1E321GN
Nch 30V 80A Leistungs-MOSFET
RS1E321GN
RS1E321GN
Nch 30V 80A Leistungs-MOSFET
Der RS1E321GN ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und Hochleistungs-Gehäuse für Schaltanwendungen.
Data Sheet
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Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
HSOP8S (5x6)
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
80
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0018
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0014
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0018
Total gate charge Qg[nC]
19.6
Power Dissipation (PD)[W]
34
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4510
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
4.9x6 (t=1.1)
Eigenschaften:
- Low on - resistance
- High power package (HSOP8)
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
- Halogen free
- 100% Rg and UIS tested
