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Nch-Leistungs-MOSFET 30 V 80 A - RS1E350GN

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | RS1E350GNTB
Status | Active
Gehäuse | HSOP8(Single)
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

HSOP8S(5x6)

Package Size[mm]

5.0x6.0(t=1.0)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

80.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.0022

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.00192

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.00148

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.00192

Total gate charge Qg[nC]

32.7

Power Dissipation (PD)[W]

39.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

  • Low on - resistance
  • High Power Package (HSOP8)
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant
  • Halogen Free
  • 100% Rg and UIS Tested