Rohm Breadcrumb

Rohm Productdetail

4 V Antriebs-Nch-MOSFET - RSJ650N10

MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | RSJ650N10TL
Status | Active
Gehäuse | LPTS(D2PAK)
Einheitenmenge | 1000
Minimale Gehäusemenge | 1000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TO-263(D2PAK)

JEITA Package

SC-83

Package Size[mm]

10.1x13.1(t=4.5)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

65.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.007

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.0065

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.007

Total gate charge Qg[nC]

260.0

Power Dissipation (PD)[W]

100.0

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 4-V-Motor
· N-Kanal-Leistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Einfache Motorschaltungen möglich
· Einfache parallele Verwendung
· Bleifrei/RoHS-konform