RSJ650N10
4 V Antriebs-Nch-MOSFET
RSJ650N10
RSJ650N10
4 V Antriebs-Nch-MOSFET
MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.
Data Sheet
Kaufen
*
* Dieses Produkt entspricht der Standardqualifizierung.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Für den Automobilbereich kontaktieren Sie bitte unser Sales-Team.
Produktdetails
Spezifikationen:
Package Code
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package
SC-83
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
65
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.007
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0065
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.007
Total gate charge Qg[nC]
260
Power Dissipation (PD)[W]
100
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
10.1x13.1 (t=4.7)
Eigenschaften:
· 4-Ｖ-Motor· N-Kanal-Leistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Einfache Motorschaltungen möglich
· Einfache parallele Verwendung
· Bleifrei/RoHS-konform
