RSQ015N06
4 V Antriebs-Nch-MOSFET

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

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Produktdetails

 
Teilenummer | RSQ015N06TR
Status | Empfohlen
Gehäuse | TSMT6
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja
Product Longevity Program | 9 Years

Spezifikationen:

Package Code

SOT-457T

JEITA Package

SC-95

Number of terminal

6

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.225

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.24

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.21

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.225

Total gate charge Qg[nC]

2

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

2.9x2.8 (t=1)

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