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4 V Antriebs-Pch-MOSFET - RT1E050RP

MOSFETs mit Leistung sind so entwickelt, dass sie durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um unterschiedliche Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | RT1E050RPTR
Status | Active
Gehäuse | TSST8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TSST8

Package Size[mm]

3.0x1.9(t=0.8)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-30

Drain Current ID[A]

-5.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.04

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.036

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.026

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.04

Total gate charge Qg[nC]

13.0

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

-4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 4-V-Motor
· P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform