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1,2 V Antriebs-Pch-MOSFET - RU1C002ZP

MOSFETs sind so entwickelt, dass sie durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand mithilfe von Mikrobearbeitungstechnologien für mobile Ausrüstung mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. Das breit aufgestellte Sortiment umfasst kompakte, hochleistungsfähige und komplexe Ausführungen, um Marktbedürfnisse zu erfüllen.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | RU1C002ZPTCL
Status | Active
Gehäuse | UMT3F
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

SOT-323FL

JEITA Package

SC-85

Package Size[mm]

2.0x2.1(t=0.9)

Number of terminal

3

Polarity

Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-20

Drain Current ID[A]

-0.2

RDS(on)[Ω] VGS=1.2V (Typ.)

2.4

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V (Typ.)

1.6

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)

1.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.8

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

2.4

Total gate charge Qg[nC]

1.4

Power Dissipation (PD)[W]

0.15

Drive Voltage[V]

-1.2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· Niederspannungsmotor (1,2 V)
· P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform