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4 V Antriebs-Nch+Pch-MOSFET - SH8M12

Komplexe MOSFETs (P+N) werden von der Mikroprozessorfertigung als Geräte mit niedrigem Einschaltwiderstand konzipiert und sind für eine breite Auswahl von Anwendungen nützlich. Eine breite Palette mit kompakten Typen, Hochleistungstypen und komplexen Typen decken sämtliche Bedürfnisse auf dem Markt ab.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | SH8M12TB
Status | Active
Gehäuse | SOP8
Einheitenmenge | 2500
Minimale Gehäusemenge | 2500
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

5.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.045

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.04

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.03

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.045

Total gate charge Qg[nC]

4.0

Power Dissipation (PD)[W]

2.0

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 4-V-Motor
· N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform