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30V Nch+Pch Small Signal MOSFET - TT8M11

Complex type MOSFETs(P+N) are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications.Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.

* Dieses Produkt entspricht der STANDARD-Güte und wird nicht für Fahrzeugteile empfohlen.
Teilenummer | TT8M11TCR
Status | Active
Gehäuse | TSST8
Einheitenmenge | 3000
Minimale Gehäusemenge | 3000
Gehäusetyp | Taping
RoHS | Ja

Spezifikationen:

Grade

Standard

Package Code

TSST8

Package Size[mm]

3.0x1.9(t=0.8)

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)

0.078

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)

0.067

RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)

0.051

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.078

Total gate charge Qg[nC]

2.5

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

4.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Eigenschaften:

· 4-V-Motor
· N-Kanal+P-Kanal-Mittelleistungs-MOSFET
· Schnelle Schaltgeschwindigkeit
· Kleines, oberflächenmontierbares Gehäuse
· Bleifrei/RoHS-konform